技術簡介

針對人工智能、大數據快速發展的需求，通過硅橋埋入技術，克服了TSV轉接板尺寸限制以及Fan out扇出封裝RDL工藝微米級金屬互連的限制，大幅提升了芯片之間的互聯帶寬和性能，是一種兼顧成本與高密度集成的新型封裝方式。

技術指標

1.Megal Pillar尺寸/間距：70-100 μm/150-250μm；

2.多芯片異構集成能力：支持邏輯芯片、存儲器、射頻模塊等混搭；

3.埋入硅橋顆數：4顆；

4.硅橋線寬/線距及厚度：≤1μm L/S和≤50μm；

5.封裝尺寸：2X Reticle。

成果圖示