技術簡介

 針對高性能計算、人工智能、數據中心等高端應用的需求，開發了D2W混合鍵合與異質集成技術。通過芯片到晶圓間無凸點直接互連的方法，增大互連密度、提高信號傳輸速度和降低功耗，實現不同材質、功能、尺寸的芯片集成。

技術指標

1.鍵合Pad尺寸/間距：≤3/3μm；

2.對準精度：≤200nm；

3.鍵合層數≥3層，單層厚度≤50μm；

4.鍵合溫度：≤250℃。

成果圖示