技術(shù)簡(jiǎn)介

面向MEMS、CIS等傳感器需求，在晶圓背面打通TSV孔并實(shí)現(xiàn)互連，可以在不改變現(xiàn)有晶圓結(jié)構(gòu)情況下，實(shí)現(xiàn)三維堆疊。本案例用于CT的X射線光子計(jì)數(shù)器，代替原先的打線方案后，單顆芯片面積減小20%，可以提高探測(cè)器陣列密度，提升圖像質(zhì)量。

技術(shù)指標(biāo)

1.單顆芯片尺寸：8mm×8mm；

2.TSV尺寸：60×100μm；

3.最高工作電壓：30V。

成果圖示