第十六期華進(jìn)論壇邀請(qǐng)函
2019/06/05
為推動(dòng)我國(guó)先進(jìn)封裝技術(shù)水平,促進(jìn)與業(yè)界的合作與交流,華進(jìn)半導(dǎo)體于2013年2月28日創(chuàng)辦華進(jìn)論壇。華進(jìn)論壇每年不定期舉辦,主要邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外知名學(xué)者、半導(dǎo)體制造/封裝企業(yè)高管、國(guó)內(nèi)外封裝材料/裝備/測(cè)試專(zhuān)家,共同就我國(guó)先進(jìn)封裝技術(shù)及材料/裝備/測(cè)試/質(zhì)量開(kāi)展交流與探討,推動(dòng)我國(guó)先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
第十六期華進(jìn)論壇定于6月21日在華進(jìn)六樓舉辦,由坤開(kāi)信息和儀準(zhǔn)科技傾情贊助,以可靠性及失效分析為主題,活動(dòng)免費(fèi)公開(kāi),歡迎業(yè)界同仁報(bào)名參加,具體安排如下:
● 時(shí)間:2019年6月21日(周五)9:00-16:20
● 地點(diǎn):華進(jìn)半導(dǎo)體6樓培訓(xùn)室(無(wú)錫新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)D1棟六樓)
● 議程:

點(diǎn)擊鏈接,在線(xiàn)報(bào)名:http://ncapchina.mikecrm.com/uB6eyno
報(bào)名費(fèi)用:免費(fèi)

報(bào)告摘要:
由于芯片特征尺寸不斷減小、布線(xiàn)密度、復(fù)雜度不斷增加、機(jī)械強(qiáng)度較差的低介電常數(shù)(Low-k:LK)或超低介電常數(shù)(Ultra-low-k:ULK)絕緣介質(zhì)的使用,導(dǎo)致封裝過(guò)程中易發(fā)生芯片布線(xiàn)層內(nèi)LK/ULK介質(zhì)、介質(zhì)與金屬界面斷裂等可靠性問(wèn)題。本報(bào)告首先介紹該領(lǐng)域的研究新進(jìn)展,然后針對(duì)LK/ULK薄膜材料參數(shù)的測(cè)試方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)整體/子模型分析方法、芯片LK/ULK層應(yīng)力分析、斷裂分析、參數(shù)化分析研究方法、通過(guò)凸點(diǎn)剪切實(shí)驗(yàn)快速評(píng)估芯片微結(jié)構(gòu)可靠性等研究?jī)?nèi)容進(jìn)行討論,為先進(jìn)芯片封裝可靠性設(shè)計(jì)提供參考。
嘉賓介紹:
王珺,博士,復(fù)旦大學(xué)材料科學(xué)系教授,國(guó)家微分析中心主任,研究方向包括:材料微觀(guān)結(jié)構(gòu)的力學(xué)模型和模擬,微電子封裝計(jì)算分析和可靠性研究,新型材料數(shù)據(jù)庫(kù)應(yīng)用研究。
近年來(lái)在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表48篇文章,國(guó)際會(huì)議論文22篇,申請(qǐng)國(guó)內(nèi)專(zhuān)利10項(xiàng),其中7項(xiàng)已獲得授權(quán),申請(qǐng)國(guó)內(nèi)軟件著作權(quán)3項(xiàng)。主持國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)子課題、國(guó)家自然科學(xué)基金、航天科技支撐技術(shù)基金等項(xiàng)目5項(xiàng);主持與企業(yè)的合作項(xiàng)目8項(xiàng)。利用計(jì)算模擬和實(shí)驗(yàn)研究方面的科研成果與工程應(yīng)用相結(jié)合,幫助企業(yè)解決實(shí)際應(yīng)用問(wèn)題。先后與上海寶鋼、上海實(shí)業(yè)交通、上海衛(wèi)星研究所、成都芯源系統(tǒng)有限公司、中國(guó)航天科技集團(tuán)公司808所、*等公司合作,完成多項(xiàng)課題研究任務(wù)。
2. 集成電路失效定位技術(shù)交流
嘉賓介紹:
Soon-Huat Tan is currently the manager of the customer support in SEMICAPS Pte Ltd. He received his Bachelor Degree in Electrical Engineering from Santa Clara University and Master of Technology from National University of Singapore, Institute of Systems Science. He jointed SEMICAPS in 1989 and for the last 30 years, he was involved in the various aspect of the company’s technical and business operation. From 1997 to 1999, he was tasked to manager the operation of the subsidy company in USA and was the manager of Analytical Service Group from 2002 to 2009. He was one of the members on the NUS-SEMICAPS team that received the President’s Technology Award in 2009.
3. 熱測(cè)試技術(shù)
報(bào)告摘要:
Mentor熱測(cè)試技術(shù),通過(guò)瞬態(tài)的測(cè)試,精確測(cè)定器件及材料的穩(wěn)態(tài)熱特性,從而可以準(zhǔn)確預(yù)測(cè)電子器件及系統(tǒng)的使用壽命。Calibration技術(shù)更是可以輸出高精度的仿真熱模型(精度可以達(dá)到99%以上),為企業(yè)的正向設(shè)計(jì)提供有效的研發(fā)技術(shù)和手段。
嘉賓介紹:
周愛(ài)軍,15年的行業(yè)從業(yè)經(jīng)驗(yàn),MARTRIZ 國(guó)際認(rèn)證二級(jí)專(zhuān)家,專(zhuān)注于企業(yè)研發(fā)和創(chuàng)新,現(xiàn)任西門(mén)子Simcenter產(chǎn)品推廣經(jīng)理(PFD)。
4. EDS及EBSD在半導(dǎo)體失效分析中的應(yīng)用進(jìn)展
報(bào)告摘要:
失效分析是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可或缺的重要環(huán)節(jié),其結(jié)果可以幫助確認(rèn)設(shè)計(jì)上的缺陷、工藝參數(shù)的不匹配或操作流程不當(dāng)?shù)葐?wèn)題,進(jìn)而提高成品的產(chǎn)品質(zhì)量及可靠性。能譜(EDS)及電子背散射衍射技術(shù)(EBSD)作為重要的失效分析手段,可以提供失效部件的元素及結(jié)構(gòu)異常,但半導(dǎo)體器件的高度集成、結(jié)構(gòu)細(xì)微、元素復(fù)雜及對(duì)束流敏感等因素大大限制了EDS及EBSD的應(yīng)用。牛津儀器的Ultim Max能譜及cmos EBSD電子背散射分析系統(tǒng),大大提高了失效附件的成分及結(jié)構(gòu)分析時(shí)所需的速度、精確度的同時(shí)降低了對(duì)束流的要求,因此可應(yīng)用于更多半導(dǎo)體樣品中。本報(bào)告中我們將從能譜及EBSD的基礎(chǔ)著手,解釋在半導(dǎo)體相關(guān)行業(yè)中進(jìn)行EDS及EBSD分析過(guò)程中的難點(diǎn)及相關(guān)應(yīng)對(duì)方法,并通過(guò)結(jié)合實(shí)際案例來(lái)說(shuō)明現(xiàn)代的EDS及EBSD可以在該領(lǐng)域中獲得怎樣的數(shù)據(jù)結(jié)果以及怎樣獲得這些結(jié)果。
嘉賓介紹:

Sarah Ma 2012年獲得上海交通大學(xué)材料學(xué)博士學(xué)位,博士研究鎂合金的時(shí)效強(qiáng)化及變形機(jī)制。2012-2015年間在日本物質(zhì)材料研究所進(jìn)行博后工作,研究課題為高強(qiáng)韌鎂合金的開(kāi)發(fā)及磁性材料微結(jié)構(gòu)表征,熟悉掌握FIB及納米操作手。2015年加入牛津儀器,主要負(fù)責(zé)能譜、EBSD、OP的推廣及技術(shù)支持。
第十六期華進(jìn)論壇定于6月21日在華進(jìn)六樓舉辦,由坤開(kāi)信息和儀準(zhǔn)科技傾情贊助,以可靠性及失效分析為主題,活動(dòng)免費(fèi)公開(kāi),歡迎業(yè)界同仁報(bào)名參加,具體安排如下:
● 時(shí)間:2019年6月21日(周五)9:00-16:20
● 地點(diǎn):華進(jìn)半導(dǎo)體6樓培訓(xùn)室(無(wú)錫新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)D1棟六樓)
● 議程:

*以上為活動(dòng)初擬議程,根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整,請(qǐng)以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)!
● 報(bào)名方式:點(diǎn)擊鏈接,在線(xiàn)報(bào)名:http://ncapchina.mikecrm.com/uB6eyno
報(bào)名費(fèi)用:免費(fèi)
名額限制:120人
截止日期:2019年6月18日
華進(jìn)聯(lián)系人:張曉蕓 0510-66679351, xiaoyunzhang@ncap-cn.com
● 其他事項(xiàng):
如需住宿,請(qǐng)自行預(yù)定酒店,報(bào)“華進(jìn)半導(dǎo)體”享受協(xié)議價(jià),費(fèi)用自理。協(xié)議酒店清單如下:
截止日期:2019年6月18日
華進(jìn)聯(lián)系人:張曉蕓 0510-66679351, xiaoyunzhang@ncap-cn.com
● 其他事項(xiàng):
如需住宿,請(qǐng)自行預(yù)定酒店,報(bào)“華進(jìn)半導(dǎo)體”享受協(xié)議價(jià),費(fèi)用自理。協(xié)議酒店清單如下:

● 附件:嘉賓及報(bào)告介紹
嘉賓及報(bào)告介紹
1. 封裝芯片微結(jié)構(gòu)失效破壞的計(jì)算分析和實(shí)驗(yàn)研究報(bào)告摘要:
由于芯片特征尺寸不斷減小、布線(xiàn)密度、復(fù)雜度不斷增加、機(jī)械強(qiáng)度較差的低介電常數(shù)(Low-k:LK)或超低介電常數(shù)(Ultra-low-k:ULK)絕緣介質(zhì)的使用,導(dǎo)致封裝過(guò)程中易發(fā)生芯片布線(xiàn)層內(nèi)LK/ULK介質(zhì)、介質(zhì)與金屬界面斷裂等可靠性問(wèn)題。本報(bào)告首先介紹該領(lǐng)域的研究新進(jìn)展,然后針對(duì)LK/ULK薄膜材料參數(shù)的測(cè)試方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)整體/子模型分析方法、芯片LK/ULK層應(yīng)力分析、斷裂分析、參數(shù)化分析研究方法、通過(guò)凸點(diǎn)剪切實(shí)驗(yàn)快速評(píng)估芯片微結(jié)構(gòu)可靠性等研究?jī)?nèi)容進(jìn)行討論,為先進(jìn)芯片封裝可靠性設(shè)計(jì)提供參考。
嘉賓介紹:

王珺,博士,復(fù)旦大學(xué)材料科學(xué)系教授,國(guó)家微分析中心主任,研究方向包括:材料微觀(guān)結(jié)構(gòu)的力學(xué)模型和模擬,微電子封裝計(jì)算分析和可靠性研究,新型材料數(shù)據(jù)庫(kù)應(yīng)用研究。
近年來(lái)在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表48篇文章,國(guó)際會(huì)議論文22篇,申請(qǐng)國(guó)內(nèi)專(zhuān)利10項(xiàng),其中7項(xiàng)已獲得授權(quán),申請(qǐng)國(guó)內(nèi)軟件著作權(quán)3項(xiàng)。主持國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)子課題、國(guó)家自然科學(xué)基金、航天科技支撐技術(shù)基金等項(xiàng)目5項(xiàng);主持與企業(yè)的合作項(xiàng)目8項(xiàng)。利用計(jì)算模擬和實(shí)驗(yàn)研究方面的科研成果與工程應(yīng)用相結(jié)合,幫助企業(yè)解決實(shí)際應(yīng)用問(wèn)題。先后與上海寶鋼、上海實(shí)業(yè)交通、上海衛(wèi)星研究所、成都芯源系統(tǒng)有限公司、中國(guó)航天科技集團(tuán)公司808所、*等公司合作,完成多項(xiàng)課題研究任務(wù)。
2. 集成電路失效定位技術(shù)交流
嘉賓介紹:
Soon-Huat Tan is currently the manager of the customer support in SEMICAPS Pte Ltd. He received his Bachelor Degree in Electrical Engineering from Santa Clara University and Master of Technology from National University of Singapore, Institute of Systems Science. He jointed SEMICAPS in 1989 and for the last 30 years, he was involved in the various aspect of the company’s technical and business operation. From 1997 to 1999, he was tasked to manager the operation of the subsidy company in USA and was the manager of Analytical Service Group from 2002 to 2009. He was one of the members on the NUS-SEMICAPS team that received the President’s Technology Award in 2009.
3. 熱測(cè)試技術(shù)
報(bào)告摘要:
Mentor熱測(cè)試技術(shù),通過(guò)瞬態(tài)的測(cè)試,精確測(cè)定器件及材料的穩(wěn)態(tài)熱特性,從而可以準(zhǔn)確預(yù)測(cè)電子器件及系統(tǒng)的使用壽命。Calibration技術(shù)更是可以輸出高精度的仿真熱模型(精度可以達(dá)到99%以上),為企業(yè)的正向設(shè)計(jì)提供有效的研發(fā)技術(shù)和手段。
嘉賓介紹:
周愛(ài)軍,15年的行業(yè)從業(yè)經(jīng)驗(yàn),MARTRIZ 國(guó)際認(rèn)證二級(jí)專(zhuān)家,專(zhuān)注于企業(yè)研發(fā)和創(chuàng)新,現(xiàn)任西門(mén)子Simcenter產(chǎn)品推廣經(jīng)理(PFD)。
4. EDS及EBSD在半導(dǎo)體失效分析中的應(yīng)用進(jìn)展
報(bào)告摘要:
失效分析是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可或缺的重要環(huán)節(jié),其結(jié)果可以幫助確認(rèn)設(shè)計(jì)上的缺陷、工藝參數(shù)的不匹配或操作流程不當(dāng)?shù)葐?wèn)題,進(jìn)而提高成品的產(chǎn)品質(zhì)量及可靠性。能譜(EDS)及電子背散射衍射技術(shù)(EBSD)作為重要的失效分析手段,可以提供失效部件的元素及結(jié)構(gòu)異常,但半導(dǎo)體器件的高度集成、結(jié)構(gòu)細(xì)微、元素復(fù)雜及對(duì)束流敏感等因素大大限制了EDS及EBSD的應(yīng)用。牛津儀器的Ultim Max能譜及cmos EBSD電子背散射分析系統(tǒng),大大提高了失效附件的成分及結(jié)構(gòu)分析時(shí)所需的速度、精確度的同時(shí)降低了對(duì)束流的要求,因此可應(yīng)用于更多半導(dǎo)體樣品中。本報(bào)告中我們將從能譜及EBSD的基礎(chǔ)著手,解釋在半導(dǎo)體相關(guān)行業(yè)中進(jìn)行EDS及EBSD分析過(guò)程中的難點(diǎn)及相關(guān)應(yīng)對(duì)方法,并通過(guò)結(jié)合實(shí)際案例來(lái)說(shuō)明現(xiàn)代的EDS及EBSD可以在該領(lǐng)域中獲得怎樣的數(shù)據(jù)結(jié)果以及怎樣獲得這些結(jié)果。
嘉賓介紹:

Sarah Ma 2012年獲得上海交通大學(xué)材料學(xué)博士學(xué)位,博士研究鎂合金的時(shí)效強(qiáng)化及變形機(jī)制。2012-2015年間在日本物質(zhì)材料研究所進(jìn)行博后工作,研究課題為高強(qiáng)韌鎂合金的開(kāi)發(fā)及磁性材料微結(jié)構(gòu)表征,熟悉掌握FIB及納米操作手。2015年加入牛津儀器,主要負(fù)責(zé)能譜、EBSD、OP的推廣及技術(shù)支持。
5. 基于先進(jìn)封裝的熱-力耦合仿真技術(shù)研討
嘉賓介紹:
蘇梅英,女,工學(xué)博士,中國(guó)科學(xué)院微電子研究所博士后,中科院微電子所副研究員,華進(jìn)研發(fā)部高級(jí)工程師。主要從事先進(jìn)封裝可靠性及失效分析基礎(chǔ)研究,主持并參與多項(xiàng)國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)、重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃及基金項(xiàng)目研發(fā)工作。在國(guó)際知名期刊及國(guó)際會(huì)議上發(fā)表SCI、EI論文20余篇,中文核心數(shù)篇,出版專(zhuān)著1篇,申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利十余項(xiàng)。
嘉賓介紹:
蘇梅英,女,工學(xué)博士,中國(guó)科學(xué)院微電子研究所博士后,中科院微電子所副研究員,華進(jìn)研發(fā)部高級(jí)工程師。主要從事先進(jìn)封裝可靠性及失效分析基礎(chǔ)研究,主持并參與多項(xiàng)國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)、重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃及基金項(xiàng)目研發(fā)工作。在國(guó)際知名期刊及國(guó)際會(huì)議上發(fā)表SCI、EI論文20余篇,中文核心數(shù)篇,出版專(zhuān)著1篇,申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利十余項(xiàng)。
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