2017-02-10 中國半導(dǎo)體論壇

　　就在日前半導(dǎo)體龍頭英特爾宣布投資 70 億美元，用以升級在美國的 Fab 42 工廠，并準備 3 到 4 年后生產(chǎn) 7 納米制程，正式宣告拉開了 7 納米制程世代的半導(dǎo)體制程競爭序幕后。競爭對手三星與臺積電，也在日前的國際固態(tài)電路研討會 （ISSCC） 會議上公布了自家的 7 納米制程進展，宣示進入 7 納米制程世代的決心。

       根據(jù)外媒 EEtimes 的報導(dǎo)，在 ISSCC 會議上，臺積電展示了 7 納米 HKMG FinFET 制程的 256Mb SRAM 芯片，其核心面只有 16 納米制程的 34%，而且良率很好。至于，三星所展示的 7 納米制程 SRAM 芯片只有 8Mb，而且更多的只是研究性質(zhì)。因此，據(jù)說三星要等 EUV 光刻技術(shù)更加成熟，才會有進一步的進展。

      報導(dǎo)中進一步指出，臺積電雖然在 16 納米 FinFET 的技術(shù)上吃過虧，不過在 10 納米、7 納米制程上依舊野心勃勃。而且，預(yù)計 2017 年上半年將使用 10 納米制程為蘋果量產(chǎn) A11 處理器，加上這次公布的 7 納米制程進展看起來也很順利，等于宣告臺積電在這兩個世代技術(shù)進步上都大有斬獲。

       根據(jù)臺積電公開的 7 納米制程所制造的 256Mb SRAM 芯片來看，位單元面積只有 0．027um2，7 層金屬層制程，整個核心面積也只有 42mm2。根據(jù)臺積電存儲業(yè)務(wù)部門的高層表示，臺積電的 7 納米制程核心面積只有 16 納米制程的 0.34 倍。而良率問題，臺積電在論文中表示，7 納米制程良率很 “健康”（healthy），顯示臺積電對此信心十足。

        在此同時，臺積電的競爭對手三星也公開了 7 納米制程的部分資訊。不過，三星介紹的 SRAM 芯片容量只有 8Mb，更像是研究，而非開發(fā)性質(zhì)。目前三星也同時針對現(xiàn)有設(shè)備及 EUV 制程開發(fā)了兩種修復(fù)技術(shù)，結(jié)果顯示 EUV 制程部分表現(xiàn)較好。不過，修復(fù)處理并非半導(dǎo)體制造的必須過程，而是三星驗證 EUV 制程可以做到什么程度的測試。

        根據(jù)三星 2016 年公布的消息，三星在 7 納米制程上是希望等到 EUV 制程成熟之后，再來做進一步發(fā)展。因此，根據(jù)業(yè)界分析，認為 EUV 制程必須要在 2020 年才會達到量產(chǎn)水準，屆時三星也可能較臺積電在 7 納米制程上有所落后。