王沖，工學博士，畢業于東南大學射頻與光電集成電路研究所，現為南京國博電子有限公司芯片設計工程師。曾任職于國內知名通信設備公司，從事手機和基站射頻的研發。在無線通信、電磁場與微波、毫米波單片集成電路等領域有多年科研經驗。承擔并參與了國家重大專項子課題、863、國家預研等項目的研究工作，如國家重大專項“新一代寬帶無線移動通信網”中的子課題、863項目“60GHz CMOS毫米波芯片的研制”，預研項目“硅基超高頻射頻集成電路關鍵技術-硅基Ka波段低成本T/R多功能芯片技術、硅基X、Ku低成本T/R多功能芯片技術研究”等，積累了豐富的微波毫米波電路設計經驗。研制開發了用于5G毫米波的SiGe四通道相控陣收發芯片、X波段四通道相控陣收發芯片、Ku波段變頻多功能芯片等多款多功能芯片，以及Ku波段頻率綜合器芯片，W波段功率放大器芯片等單功能電路。在國際國內期刊和會議上發表硅基芯片相關文章五篇，申請發明專利兩個。

報告摘要：

無線通信發展的主要目標之一是提高數據傳輸速率，自從上世紀九十年代的第一代移動通信（1G）開始，目前已全面進入4G時代，在用戶體驗方面最明顯的改變是通信速率的提升：從只支持語音通話到目前可以隨時隨地瀏覽視頻及聯網游戲等。目前，越來越多的應用需要更高的速率支撐，如4K高清視頻、超高速下載、虛擬/增強現實、智能交通、遠程醫療等等，5G系統提出的設計目標之一是提供比4G快十倍甚至百倍的傳輸速率，以滿足更多的超高速應用。目前，絕大多數通信標準都集中在6GHz以下頻段（Sub 6G），在頻譜資源受限的條件下，通信系統中采用了多種技術，如高階調制、多天線技術、多載波聚合等來提高系統的速率容量，但現有技術已不可能將容量再提升一兩個數量級。根據香農定理，提高速率容量最直接的方式是增大信號傳輸的帶寬，因而在目前低頻段頻譜已趨于枯竭的情況下，將通信的工作頻段向高頻段，例如毫米波頻段推進是通信發展的必然趨勢。相比低頻段，毫米波頻段擁有廣闊的帶寬資源，更適合于高速通信，目前已確定的5G毫米波頻段包括26GHz和39GHz等。然而，毫米波通信也有其天然的缺陷，例如，毫米波信號的傳播損耗比低頻段高很多，也無法穿透障礙物等等，另外，毫米波器件的價格較昂貴。
針對毫米波傳播損耗大的問題，目前通信界的一致觀點是應運用大規模MIMO技術，即采用成百上千個收發通道組成大規模相控陣列，按相控陣的原理進行波束賦形，將信號的能量集中在一個方向傳輸，這樣就可以對抗高頻段的傳播損耗。因而，實現5G毫米波通信的一個關鍵課題就是多通道相控陣收發芯片的研制。目前，在國際集成電路方面的刊物及會議上已報道了大量工作于毫米波頻段的多通道相控陣收發芯片，其中愛立信與IBM合作在2017年的ISSCC（國際固態電路會議）上聯合報道了一款16通道相控陣芯片，同時集成變頻電路，它采用了0.13μm SiGe BiCMOS工藝，工作于28GHz頻段，單通道的OP1dB和Psat分別為14dBm和16.4dBm，接收噪聲系數為6dB，移相精度及誤差分別小于5 °和1 °。在2018年的ISSCC上，高通報道了一款集成24個幅相通道以及變頻電路、頻率綜合器的28GHz雙極化相控陣收發機。采用28nm LP CMOS工藝，整個芯片的面積僅有4.9×6 mm2，每個通道的發射及接收功耗分別為90與42 mW，發射與接收鏈路的增益均達到了32dB以上，OP1dB高于12dbm，PAE@ P1dB-6dB>7.5%，這個芯片極小的單通道面積與低功耗使其更適合于產業應用。另外，Anokiwave公司發布的芯片型號AWMF-0108，是一個工作于28GHz頻段的四通道相控陣芯片，在1.8V供電下，靜態發射和接收模式的功耗分別是0.75W和0.54W，它具有9 dBm的OP1dB和5 dB的接收噪聲系數，基本能滿足小功率5G毫米波應用需求。國內的兩大芯片設計廠商海思與紫光展銳也在積極開發自己的5G毫米波相控陣芯片，目前還沒有對外的芯片產品報道。
在一個相控陣收發芯片中，核心的射頻子單元電路包括功率放大器、低噪聲放大器、移相器、數控衰減器及開關等，有時也將變頻電路及頻率源集成在一起，以上報道的幾個實例中，均采用了硅/鍺硅工藝實現所有的功能子電路。近年來，隨著硅基半導體工藝的發展，毫米波相控陣收發芯片中的大部分電路均可用硅基工藝實現，這樣可快速降低毫米波收發組件的成本。然而，從以上幾個例子中也可看到，硅基功率放大器的線性輸出功率很低，在功率需求較高的場合，比如要求功放OP1dB達到27dBm，這時只采用硅基工藝就很難滿足要求。因而一種流行的方案是只采用硅基工藝實現驅動放大、移相、數控衰減和開關等小信號功能，前端的功率放大、低噪聲放大和高功率開關采用砷化鎵工藝，這樣就同時發揮了兩種工藝的優勢，在成本與性能間取得了良好的折衷。
中國電子科技集團第五十五研究所及其下屬的國博公司一直專注于毫米波MMIC的研發設計，在砷化鎵基/硅基相控陣芯片與功率放大器芯片等領域具有雄厚的積淀。五十五所及國博公司積極開展5G毫米波相控陣收發芯片的研發，已取得了一系列的進展：已研制出了26GHz鍺硅雙通道相控陣收發芯片，測試結果表明其發射OP1dB達到了9dBm，接收噪聲系數為5dB，而發射與接收增益均超過10 dB，支持六位衰減和移相；已設計完成的鍺硅四通道相控陣收發芯片，仿真結果表明其發射OP1dB達到了16dBm，接收噪聲系數為6dB，發射與接收增益均超過20dB，支持六位衰減和移相；在砷化鎵收發前端芯片方面，設計了一款集成功率放大器、低噪聲放大器與開關的MMIC，測試結果表明，功率放大器過開關后的OP1dB達到了25dBm，低噪聲放大器加開關的噪聲系數為3dB，發射與接收增益分別為23dB和26dB。在封裝方面，擬采用晶圓級封裝（WLCSP）技術，有效降低封裝成本，并將硅基與砷化鎵等不同類型的芯片同時倒裝（Flip chip）在一塊基板上，以將封裝損耗減小到最低。

6. 高可靠電子元器件產品保證
郝樂，中國科學院微電子研究所博士，抗輻射集成電路設計專業，承擔基礎研究、產品研制、工程應用等多個國家省部級項目。01核高基重大專項靜態存儲器項目主設計師，設計出航天器用高可靠SRAM，可靠性指標達到國內領先水平?，F任北京中科新微特科技開發股份有限公司副總經理，從事高可靠電子元器件質量控制，可靠性提升等工作。

報告摘要：

隨著電子裝備系統不斷向高集成度、多功能、低功耗方向發展，迫切需要小型化、高性能、高效率、高可靠性的電子元器件。電子元器件是組成電子裝備和系統的最小單元，電子元器件的可靠性決定了高可靠電子整機的可靠性，沒有高可靠的電子元器件，設計再好的電子產品也難以發揮作用。元器件的質量控制貫穿其研制、生產、鑒定檢驗、應用驗證、失效處置等產品全生命周期。為保證產品的可靠性，應制定相應的質量控制細則，控制元器件的設計、生產和檢驗過程。結合內在質量評價、二次篩選、破壞性物理分析、失效分析等手段、建立元器件質量跟蹤數據庫，從而形成閉環的控制系統，保證元器件的批次質量一致性。


7. High Throughput Low Cost Fan Out Wafer/Panel Level Packaging
Mr. Hao Tang previously worked at various engineering and management positions with Henkel Electronics Irvine and Fujitsu, focusing on material and process development for flip chip packaging, fan-out WLP, WLCSP, MEMS packaging, the 3D integration and thin substrate warpage control.  
Mr. Hao Tang received his Ph. D Mechanical Engineering from the State University of New York at Binghamton and his undergraduate degree from Tsinghua University China.

報告摘要：

扇出型晶圓級封裝 （fan out wafer level packaging：FOWLP）不僅可以簡化供應鏈的管理，而且大大降低了封裝的制造成本。 不僅如此，扇出型晶圓級封裝還可以實現更薄的封裝尺寸并且可以在晶圓級實現各個系統的集成。 可以說，扇出型晶圓級封裝技術正得到越來越多的應用, 并預計將在可預見的未來推動先進封裝技術的增長。
不同于傳統的晶圓級封裝，扇出型晶圓級封裝需要使用一個臨時載體, 以支持逐級逐層制造的封裝工藝。 先做再布線層 (RDL First) 是目前 FOWLP的兩種主流封裝技術之一。RDL First的主要優勢是在塑封翹曲和芯片偏移發生之前, 就在平坦的剛性載體上直接制造再布線層（RDL）。 但是，RDL First工藝需要一個能在RDL制造過程中承受高溫/高真空的涂覆在臨時載片上的犧牲層材料，并在晶圓塑封之后進行拆鍵合并完全去除。由于犧牲層材料受到可供選擇的化學系統的限制，目前的RDL First工藝的拆鍵合需要通過激光燒蝕犧牲層來實現。由于必須使用激光，從而進一步限制了臨時載體必須選擇玻璃。由于激光拆鍵合的設備和維護非常昂貴，而且限制了必須使用同樣昂貴的特種玻璃作為臨時載片，目前用于 RDL First的FOWLP 技術是一個非常昂貴的制程，而限制了這個工藝的普及。
本報告中將介紹一種新的、利用空氣動力拆除臨時載片的FOWLP的工藝技術。 通過一種新設計的優化的犧牲層材料, 氣動拆鍵合技術不僅能兼容當前的 RDL First FOWLP 的制造工藝, 而且可以在室溫下通過空氣的噴射實現快速的載體拆除。氣動拆鍵合通過噴射空氣在載片和塑封晶圓之間流動，從下施加應力推動載片上行，在同時下壓塑封的晶圓，******限度地減少了晶片表面在分離時的的剝離應力。也不同于激光拆鍵合，氣動拆鍵合在室溫下進行，從而不會對晶圓局部加熱和燒蝕, 而且也可以使用成本更低的硅片做為臨時載片。本報告會通過一個兩層RDL的量產FOWLP產品的制造，來完整介紹這個低成本而且高效的FOWLP制造工藝。