本報告深入分析了BCD器件的創新技術，對比了由全球領先制造商（包括英飛凌、意法半導體、艾爾默斯、博世、恩智浦、艾賽斯、飛思卡爾、德州儀器、凌力爾特、亞德諾、美信\高塔半導體、電裝、瑞薩、豐田和東芝）生產的31款產品。 

　　2020版報告新增了舊版報告中7家制造商的8款新技術，以及3家新制造商（艾賽斯、美信和東芝）。報告專注200V至600V的高壓技術，其中英飛凌的絕緣體上硅(SOI)解決方案為600V，艾賽斯為200V， 東芝為500V。技術節點從2.5μm到90nm，器件范圍從單片式功率晶體管到具有高壓模擬輸入輸出的微控制器。 

　　本報告旨在幫助大家理解主要BCD制造商的技術革新和制造成本，從而為在設計和工藝集成過程中的元器件優化奠定基礎。報告詳細說明了每款器件的制造工藝、材料、芯片設計和技術方案,估算了各項技術的晶圓成本，突出了技術創新的影響。本報告側重技術分析，描述了技術創新對器件成本的影響，包括了主要參數、晶體管、金屬層、絕緣和無源器件的技術和成本比較。

• 關于《BCD技術與成本對比分析（2020版）》

本報告為逆向分析報告，從基板、晶體管、金屬化和無源器件層面介紹了BCD技術演變。本報告關注3種SOI高壓BCD技術方案，提供詳細的照片。報告對晶體管結構及金屬層進行了SEM分析。報告對比了多種技術方案，并作制造成本分析。

• 相關報告

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《德州儀器氮化鎵功率級產品：LMG5200》

《德州儀器600V氮化鎵FET功率級產品：LMG3410》

《電源管理集成電路：技術、產業及趨勢（2019版）》

• 購買方式

如需樣刊或購買報告，請聯系華進戰略部：0510-66679351 Xiaoyunzhang@ncap-cn.com

以上圖文譯自Yole Développement的BCD Technology and Cost Comparison 2020，原文請參考： 

https://www.i-micronews.com/products/bcd-technology-and-cost-comparison-2020/ 

• 關于華進

華進半導體于2012年9月在無錫新區正式注冊成立，開展系統級封裝/集成先導技術研究，研發2.5D/3D TSV互連及集成關鍵技術（包括TSV制造、凸點制造、TSV背露、芯片堆疊等），為產業界提供系統解決方案；同時開展多種晶圓級高密度封裝工藝與SiP產品應用的研發，以及與封裝技術相關的材料和設備的驗證與研發。

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